令和元年度 第2回 「次世代パワーエレクトロニクス研究会」の参加者を募集いたします！
21世紀の最重要課題のひとつに資源・エネルギー確保の問題があり、SiCやGaN、Ga2O3など次世代パワーデバイス・モジュールは省エネ技術のキーテクノロジーとして非常に重要です。
このため長野県テクノ財団は平成27年度にスタートさせた本研究会を令和元年度も継続します。
今年度第2回の研究会前半は、酸化ガリウムパワーデバイスの研究開発で注目を集める株式会社FLOSFIA（京都大学発ベンチャー）の井川拓人氏をお招きし、これまでの取組みや最新情報、今後の展望についてご講演をいただきます。
研究会後半は自社製の高周波電源にSiCモジュールを搭載して大きな成果を上げた日新技研株式会社の土屋量平氏からSiCの採用事例を紹介していただきます。
また、パワーエレクトロニクス国際学会のECCE2019に参加した信州大学の宮地幸祐先生から大会のトピックスを紹介していただきます。
SiCやGaN、Ga2O3など次世代パワーデバイスや周辺機器、部材などに関心をお持ちの方ならどなたでも参加出来ますので、産業界をはじめとする幅広い分野の皆様のご参加をお待ちしております。
◆日 時 令和元年12月5日(木) 14:00～16:30 （開場13:30）
◆会 場 信州大学 国際科学ｲﾉﾍﾞｰｼｮﾝｾﾝﾀｰ 2F （信州大学工学部内）
◆内 容
講演Ⅰ: 【α型酸化ガリウムパワーデバイスの開発状況と今後の展望】
株式会社FLOSFIA 営業部長 井川 拓人 氏
講演Ⅱ: 【金属溶解用高周波電源へのSiCモジュール搭載】
日新技研株式会社 機器部 技術グループ 次長 土屋 量平 氏
講演Ⅲ: 【ECCE2019（パワーエレクトロニクス国際学会）参加報告】
信州大学
学術研究院（工学系）准教授 宮地 幸祐 先生
◆名刺交換会 信州大学 国際科学ｲﾉﾍﾞｰｼｮﾝｾﾝﾀｰ 3F ｺﾐｭﾆｹｰｼｮﾝﾙｰﾑ 16:30～18:00
◆主 催 公益財団法人
長野県テクノ財団
◆定 員 80名程度
◆参加費 無料（名刺交換会へ出席される方は、当日参加費3,000円をお支払いください）
◆詳 細 下記イベントの資料（開催案内）をご参照ください。
◆申込〆切
11月29日（金）
◆申込方法 下記の申込フォームから、または参加申込書に必要事項をご記入の上、E-mail or FAXでお申し込み下さい。
◆お申込・お問合せ先 公益財団法人長野県テクノ財団 担当：高橋
TEL：026-226-8101 FAX：026-226-8838
E-mail：ma-takahashi@tech.or.jp
