令和元年度第1回「次世代パワーエレクトロニクス研究会」のご案内

令和元年度第1回「次世代パワーエレクトロニクス研究会」

の参加者を募集いたします！

21世紀の最重要課題のひとつに資源・エネルギー確保の問題があり、　ＳｉＣやＧａＮなど次世代パワーデバイス・モジュールは省エネ技術のキーテクノロジーとして非常に重要です。

このため長野県テクノ財団は平成27年度にスタートさせた本研究会を令和元年度も継続します。

今年度初回の研究会前半は、筑波大学数理物質系物理工学域教授の岩室憲幸氏をお招きし、「Ｓｉパワーデバイスの進化とＳｉＣの今後の展望」と題して、性能限界を囁かれながらも主役の座を維持するＳｉパワーデバイスの特性改善の歩みと対比しながら、ＳｉＣパワーデバイスの最新技術と優位性、普及に必要な今後の開発の方向性についてご講演をいただきます。

研究会後半は名古屋大学未来材料・システム研究所特任教授の恩田正一氏から、「ＧａＮ半導体への期待とロードマップ」と題して、省エネルギーイノベーションの創出を目的に設立された「ＧａＮ研究コンソーシアム」の概要と活動状況、ＳｉＣと並んで有望視されるＧａＮパワーデバイスが目指す未来社会とその実現時期を示すロードマップについてご講演をいただきます。

　　ＳｉＣやＧａＮ、Ｇａ_２Ｏ_３など次世代パワー半導体やその周辺機器、部材などに関心をお持ちの方ならどなたでも参加出来ますので、産業界をはじめとする幅広い分野の皆様のご参加をお待ちしております。

◆日　　時　　　令和元年8月2日(金) 14:00～16:30 （開場13:30）

◆会　　場　　　信州大学国際科学ｲﾉﾍﾞｰｼｮﾝｾﾝﾀｰ 2F （信州大学工学部内）

◆内　　容　

講演1:　【Ｓｉパワーデバイスの進化とＳｉＣの今後の展望】　　　　　　　　　　　　

　　　　　　　　　　筑波大学数理物質系物理工学域教授　　　　　　　　岩室憲幸氏

講演2: 【ＧａＮ半導体への期待とロードマップ】

　　　　　　　　　　名古屋大学未来材料・システム研究所特任教授　　　恩田正一氏　　　　　　　　

◆名刺交換会　信州大学国際科学ｲﾉﾍﾞｰｼｮﾝｾﾝﾀｰ 3F ｺﾐｭﾆｹｰｼｮﾝﾙｰﾑ　16:30～18:00

◆主　　催　公益財団法人長野県テクノ財団

◆定　　員　 8０名程度　

◆参加費　無料