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次世代パワーエレクトロニクス研究会

令和元年度 第1回 「次世代パワーエレクトロニクス研究会」のご案内

受付中

概要

令和元年度 第1回 「次世代パワーエレクトロニクス研究会」

の参加者を募集いたします!

 

21世紀の最重要課題のひとつに資源・エネルギー確保の問題があり、 SiCやGaNなど次世代パワーデバイス・モジュールは省エネ技術のキーテクノロジーとして非常に重要です。

このため長野県テクノ財団は平成27年度にスタートさせた本研究会を令和元年度も継続します。

 

今年度初回の研究会前半は、筑波大学数理物質系物理工学域教授の岩室憲幸氏をお招きし、「Siパワーデバイスの進化とSiCの今後の展望」と題して、性能限界を囁かれながらも主役の座を維持するSiパワーデバイスの特性改善の歩みと対比しながら、SiCパワーデバイスの最新技術と優位性、普及に必要な今後の開発の方向性についてご講演をいただきます。

研究会後半は名古屋大学未来材料・システム研究所特任教授の恩田正一氏から、「GaN半導体への期待とロードマップ」と題して、省エネルギーイノベーションの創出を目的に設立された「GaN研究コンソーシアム」の概要と活動状況、SiCと並んで有望視されるGaNパワーデバイスが目指す未来社会とその実現時期を示すロードマップについてご講演をいただきます。

 

  SiCやGaN、Gaなど次世代パワー半導体やその周辺機器、部材などに関心をお持ちの方ならどなたでも参加出来ますので、産業界をはじめとする幅広い分野の皆様のご参加をお待ちしております。

 

◆日  時   令和元年82()  14:0016:30 (開場13:30

 

◆会  場   信州大学 国際科学イノベーションセンター 2F (信州大学工学部内)

 

◆内  容 

講演1:  【Siパワーデバイスの進化とSiCの今後の展望】            

          筑波大学 数理物質系 物理工学域 教授         岩室 憲幸 氏

講演2:  【GaN半導体への期待とロードマップ】

          名古屋大学 未来材料・システム研究所 特任教授   恩田 正一 氏        

 

◆名刺交換会  信州大学 国際科学イノベーションセンター 3F コミュニケーションルーム  16:3018:00

 

◆主  催   公益財団法人 長野県テクノ財団

 

◆定  員   80名程度 

 

◆参加費   無料

(名刺交換会へご出席される方は、当日参加費3,000円をお支払いください)

 

◆詳  細  下記添付の開催案内&申込書をご参照ください。

 

◆申し込み  下記の"お申し込みフォーム"をクリックしてお申込みください。

 

◆お問合せ先  公益財団法人長野県テクノ財団  担当:高橋

           TEL026-226-8101  FAX026-226-8838  

E-mailma-takahashi@tech.or.jp

お問い合わせ

〒380-0928 長野市若里1-18-1長野県工業技術総合センター3F
  • TEL.026-226-8101
  • FAX.026-226-8838

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